Прокуратура Південної Кореї висунула обвинувачення 10 особам, зокрема колишнім керівникам Samsung Electronics, у незаконному витоку ключової технології виробництва 10-нанометрового класу DRAM (динамічної пам’яті з довільним доступом) до китайської компанії ChangXin Memory Technologies (CXMT).
Повідомляє видання GALERA.NEWS, посилаючись на thelec.
10-нм клас DRAM — це маркетингова назва для процесів з розміром елементів від 10 до 19 нм (покоління 1x, 1y, 1z тощо), що дозволяє значно збільшити щільність, продуктивність і енергоефективність чипів порівняно з попередніми 20-нм процесами. Samsung першим у світі розпочав масове виробництво такої пам’яті в 2016 році, інвестувавши 1,6 трлн вон. Технологія включає складні інновації, як-от чотирикратну літографію (QPT), ультратонкі діелектричні шари та спеціальний дизайн комірок для розміщення мільярдів конденсаторів і транзисторів.
П’ятеро ключових фігурантів заарештовано, ще п’ятеро постануть перед судом без утримання під вартою. Їм інкримінують порушення законів про захист промислових технологій та комерційної таємниці.
Обвинувачені передали сотні етапів виробничого процесу (включаючи рукописні записи), що дозволило CXMT у 2023 році першими в Китаї запустити масове виробництво 10-нм класу DRAM, а згодом — розвинути напрямок HBM (високошвидкісної пам’яті).
Прокуратура підкреслює загрозу національній безпеці та обіцяє жорстке реагування на промислове шпигунство. Збитки для Samsung оцінюються в трильйони вон, а загальний вплив на економіку Кореї — в десятки трлйонів. Слідство виявило ознаки подібних витоків від SK hynix. Судовий процес триває.
